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1591202SID1183K-Bild.Power Integrations

SID1183K

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SID1183K
  • Hersteller / Marke
    Power Integrations
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SID1183K.pdf
  • Supplier Device-Gehäuse
    eSOP-R16B
  • Serie
    *
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Andere Namen
    1810-1091
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Gate Driver IC eSOP-R16B

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Das Folgende sind "SID1183K" -Einziper.
SID1132KQ

SID1132KQ

Beschreibung: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1132K-TL

SID1132K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Beschreibung: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1182KQ

SID1182KQ

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1132K

SID1132K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1152K-TL

SID1152K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1152K

SID1152K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1182K

SID1182K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1132KQ-TL

SID1132KQ-TL

Beschreibung: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC03D60F6X1SA2

SIDC03D60F6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC04D60F6X1SA3

SIDC04D60F6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
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