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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SS400TE61
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22697651SS400TE61-Bild.Rohm Semiconductor

1SS400TE61

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1000+
$0.055
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS400TE61
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS400TE61.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    100mA
  • Spannung - Durchschlag
    EMD2
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Widerstand @ If, F
    3pF @ 0.5V, 1MHz
  • Polarisation
    SC-79, SOD-523
  • Andere Namen
    1SS400TE61DKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    4ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1SS400TE61
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount EMD2
  • Diodenkonfiguration
    100nA @ 80V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 100mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    80V
  • Kapazität @ Vr, F
    125°C (Max)

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Das Folgende sind "1SS400TE61" -Einziper.
1SS400CSFHT2RA

1SS400CSFHT2RA

Beschreibung: SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400T1G

1SS400T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS412(TE85L,F)

1SS412(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS413CT,L3F

1SS413CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS413,L3M

1SS413,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400CST2R

1SS400CST2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS403,H3F

1SS403,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400-G

1SS400-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1SS400 RSG

1SS400 RSG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS405,H3F

1SS405,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400GT2R

1SS400GT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS401(TE85L,F)

1SS401(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS416CT,L3F

1SS416CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400T5G

1SS400T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS404,H3F

1SS404,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400SMT2R

1SS400SMT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS402TE85LF

1SS402TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
1SS400-TP

1SS400-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS416,L3M

1SS416,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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