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20946371SS413,L3M-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS413,L3M
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS413,L3M.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    550mV @ 50mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    20V
  • Supplier Device-Gehäuse
    fSC
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    1SS413 (TL3,T)
    1SS413(TL3,T)
    1SS413(TL3T)TR
    1SS413(TL3T)TR-ND
    1SS413,L3F
    1SS413,L3F(B
    1SS413,L3M(B
    1SS413,L3M(T
    1SS413L3FTR-ND
    1SS413L3MTR
    1SS413TL3T
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    125°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 20V 50mA Surface Mount fSC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 20V
  • Strom - Richt (Io)
    50mA
  • Kapazität @ Vr, F
    3.9pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "1SS413,L3M" -Einziper.
1SS417,L3M

1SS417,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS405,H3F

1SS405,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS416CT,L3F

1SS416CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400T5G

1SS400T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400SMT2R

1SS400SMT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS403,H3F

1SS403,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS412(TE85L,F)

1SS412(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400TE61

1SS400TE61

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS423(TE85L,F)

1SS423(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS404,H3F

1SS404,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS401(TE85L,F)

1SS401(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400GT2R

1SS400GT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS427,L3M

1SS427,L3M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS402TE85LF

1SS402TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS416,L3M

1SS416,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400T1G

1SS400T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS417CT,L3F

1SS417CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
1SS413CT,L3F

1SS413CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS424(TPL3,F)

1SS424(TPL3,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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