2SCR552PT100

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Spezifikation

Artikelnummer

2SCR552PT100
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 30V 3A MPT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SCR552PT100.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

30V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 1A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

MPT3
Serie

-
Leistung - max

2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

2SCR552PT100TR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

280MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 280MHz 2W Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

3A

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Das Folgende sind "2SCR552PT100" -Einziper.

2SCR544PT100

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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