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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTD113ECHZGT116

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5998223

DTD113ECHZGT116-Bild.

LAPIS Semiconductor

DTD113ECHZGT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTD113ECHZGT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTD113ECHZGT116.pdf
2.DTD113ECHZGT116.pdf
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTD113ECHZGT116TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

33 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "DTD113ECHZGT116" -Einziper.

DTD123YCT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123TCT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114ECHZGT116

DTD114ECHZGT116

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123TCHZGT116

DTD123TCHZGT116

Beschreibung: 500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR (WI

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123EKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113ZCHZGT116

DTD113ZCHZGT116

Beschreibung: 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113EKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123ECT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123TKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114EKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113ZKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113ZCT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD122JKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD123TSTP

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114ESTP

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114GKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113ECT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD113ZUT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114ECT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTD114GCT116

Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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