DTD114ECHZGT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTD114ECHZGT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTD114ECHZGT116.pdf
2.DTD114ECHZGT116.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTD114ECHZGT116TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "DTD114ECHZGT116" -Einziper.

DTD113ZUT106

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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