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2632488DTD114ESTP-Bild.LAPIS Semiconductor

DTD114ESTP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DTD114ESTP
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DTD114ESTP.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SPT
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-72 Formed Leads
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    56 @ 50mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    500mA
  • Basisteilenummer
    DTD114

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DTD113ZKT146

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DTD123ECT116

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DTD123TKT146

DTD123TKT146

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DTD113ZUT106

DTD113ZUT106

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DTD114GKT146

DTD114GKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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DTD122JKT146

DTD122JKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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DTD114GCT116

DTD114GCT116

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DTD113ECT116

DTD113ECT116

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DTD114ECHZGT116

DTD114ECHZGT116

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DTD114ECT116

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DTD123YCT116

DTD123YCT116

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DTD113ECHZGT116

DTD113ECHZGT116

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DTD113ZCT116

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DTD123EKT146

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DTD113EKT146

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DTD123TCT116

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DTD114EKT146

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