EMH11T2R

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Spezifikation

Artikelnummer

EMH11T2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.EMH11T2R.pdf
2.EMH11T2R.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

EMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

EMH11T2R-ND
EMH11T2RTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MH11

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Das Folgende sind "EMH11T2R" -Einziper.

EMH11FHAT2R

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH11T2R

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