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4193936IMB4AT110-Bild.LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IMB4AT110
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IMB4AT110.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-74, SOT-457
  • Andere Namen
    IMB4AT110CT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MB4

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IMBD4148-G3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IMB36654M12

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Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Hersteller: Crouzet
vorrätig
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Beschreibung: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
vorrätig
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
vorrätig
RFQ
IMBD4148-E3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IMBD4148-G3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IMB36656C

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Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
vorrätig
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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IMB36652C

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Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
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RFQ
IMB36656M12

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Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Hersteller: Crouzet
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IMB36654M8

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Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
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IMB36652M8

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Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
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IMBD4148-HE3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IMB9AT110

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Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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IMB7AT108

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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IMBD4148-HE3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IMBD4448-E3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IMB36652M12

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Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

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