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5617125MP6Z13TR-Bild.LAPIS Semiconductor

MP6Z13TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MP6Z13TR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MP6Z13TR.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
  • Transistor-Typ
    NPN, PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    MPT6
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    Q6052732
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    320MHz, 300MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    180 @ 50mA, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    3A

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Das Folgende sind "MP6Z13TR" -Einziper.
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE82A

MP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91A

MP6KE91A

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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