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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6015KNJTL

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R6015KNJTL-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6015KNJTL

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Spezifikation

Artikelnummer

R6015KNJTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 600V 15A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.R6015KNJTL.pdf
2.R6015KNJTL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)

184W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

R6015KNJTLTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 15A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Tc)

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Das Folgende sind "R6015KNJTL" -Einziper.

R6015KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015KNX

Beschreibung: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R60200-3CR

R60200-3CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R6015ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020222PSYA

R6020222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6018ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020225HSYA

R6020225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R60200-1CR

R60200-1CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R60200-1STRM

R60200-1STRM

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R6015ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R60200-1STR

R60200-1STR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R6013-00

Beschreibung: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Hersteller: Harwin

vorrätig

R6015ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6012FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6015FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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