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2710152R6015KNZC8-Bild.LAPIS Semiconductor

R6015KNZC8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6015KNZC8
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6015KNZC8.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3PF
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    60W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3 Full Pack
  • Andere Namen
    R6015KNZC8TR
    R6015KNZC8TR-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Isolated)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    15A (Tc)

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R60200-3CR

R60200-3CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Beschreibung: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Beschreibung: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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