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R6020222PSYA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6020222PSYA
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6020222PSYA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.75V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -45°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    220A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "R6020222PSYA" -Einziper.
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Beschreibung: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Beschreibung: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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