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436313RDX050N50FU6-Bild.LAPIS Semiconductor

RDX050N50FU6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RDX050N50FU6
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RDX050N50FU6.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    35W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A (Ta)

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Das Folgende sind "RDX050N50FU6" -Einziper.
SUM70N04-07L-E3

SUM70N04-07L-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RDX060N60FU6

RDX060N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTA3N150HV

IXTA3N150HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRLZ44S

IRLZ44S

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RDX080N50FU6

RDX080N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7811AVTRPBF

IRF7811AVTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RDX100N60FU6

RDX100N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RDX120N50FU6

RDX120N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF1404LPBF

IRF1404LPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 162A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTR4501NST1G

NTR4501NST1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PHX27NQ11T,127

PHX27NQ11T,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
STB21N65M5

STB21N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RDX045N60FU6

RDX045N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MCP87018T-U/MF

MCP87018T-U/MF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
IRF7456TRPBF

IRF7456TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRL1404S

IRL1404S

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
HAT2088R-EL-E

HAT2088R-EL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SSM3K35AFS,LF

SSM3K35AFS,LF

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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