Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RDX060N60FU6

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2974906

RDX060N60FU6-Bild.

LAPIS Semiconductor

RDX060N60FU6

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

RDX060N60FU6
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RDX060N60FU6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "RDX060N60FU6" -Einziper.

TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFP30N06LE

RFP30N06LE

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RDX045N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI5441DC-T1-GE3

SI5441DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RDX080N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IXTV200N10TS

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

VN2222LLRLRAG

VN2222LLRLRAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQA16N50-F109

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

GP1M009A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

AOT1100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RDX100N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

TSM3N90CI C0G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

IXTX90P20P

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RDX050N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

APT56M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

PSMN2R4-30MLDX

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

Hersteller: Nexperia

vorrätig

FDP5800

FDP5800

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NVMFS5C430NLWFAFT1G

NVMFS5C430NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 38A 200A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RDX120N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IXFY4N60P3

IXFY4N60P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.