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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RDX080N50FU6

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RDX080N50FU6-Bild.

LAPIS Semiconductor

RDX080N50FU6

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Spezifikation

Artikelnummer

RDX080N50FU6
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RDX080N50FU6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

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Das Folgende sind "RDX080N50FU6" -Einziper.

IRFB7434GPBF

Beschreibung: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RDX060N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BUK9616-55A,118

BUK9616-55A,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

IPW65R190C6FKSA1

IPW65R190C6FKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DMP3008SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG6968UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

AO4407BL

AO4407BL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RDX045N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

STP32NM50N

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 22A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RDX050N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SPP03N60S5XKSA1

SPP03N60S5XKSA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

JAN2N7224

JAN2N7224

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-254AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RDX120N50FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RDX100N60FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AOW298

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9A TO262

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

BUK9Y72-80E,115

BUK9Y72-80E,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

IRLR7833TRLPBF

IRLR7833TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

NVMFS5C404NLWFAFT1G

NVMFS5C404NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SUM10250E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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