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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFN20NS3SFHTL

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1298000

RFN20NS3SFHTL-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

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Spezifikation

Artikelnummer

RFN20NS3SFHTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFN20NS3SFHTL.pdf
2.RFN20NS3SFHTL.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 20A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

350V
Supplier Device-Gehäuse

LPDS
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

35ns
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

RFN20NS3SFHTLCT
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 350V 20A Surface Mount LPDS
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 350V
Strom - Richt (Io)

20A
Kapazität @ Vr, F

412pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "RFN20NS3SFHTL" -Einziper.

RFN1L7STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10T2D

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN10NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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