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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFN2LAM4STR

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2238438

RFN2LAM4STR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFN2LAM4STR

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Spezifikation

Artikelnummer

RFN2LAM4STR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFN2LAM4STR.pdf
2.RFN2LAM4STR.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1.5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

400V
Supplier Device-Gehäuse

PMDTM
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

30ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOD-128
Andere Namen

RFN2LAM4STRTR
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 400V
Strom - Richt (Io)

1.5A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "RFN2LAM4STR" -Einziper.

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS3SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN30TS6DGC11

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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