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Halle C5 Stand 220

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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFN20TJ6SGC9

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3690291

RFN20TJ6SGC9-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFN20TJ6SGC9

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Spezifikation

Artikelnummer

RFN20TJ6SGC9
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFN20TJ6SGC9.pdf
2.RFN20TJ6SGC9.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 20A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

TO-220ACFP
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

140ns
Verpackung / Gehäuse

TO-220-2 Full Pack
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220ACFP
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

20A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "RFN20TJ6SGC9" -Einziper.

RFN2L4STE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1L7STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM6STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS3SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM2SFHTL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20TF6SFH

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN1LAM7STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN30TS6DGC11

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN2L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3B6STL

RFN3B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3B2STL

RFN3B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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