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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > RN142ZS12ATE61

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95766

RN142ZS12ATE61-Bild.

LAPIS Semiconductor

RN142ZS12ATE61

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vorrätig

3000+

$0.431

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

RN142ZS12ATE61
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RN142ZS12ATE61.pdf
2.RN142ZS12ATE61.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

30V
Supplier Device-Gehäuse

HMD12 (2.4x0.8)
Serie

-
Widerstand @ If, F

1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

12-XFDFN
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

PIN - 6 Independent
detaillierte Beschreibung

RF Diode PIN - 6 Independent 30V 50mA HMD12 (2.4x0.8)
Strom - Max

50mA
Kapazität @ Vr, F

0.45pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "RN142ZS12ATE61" -Einziper.

RN143-0.5-02

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN143-4-02-3M9

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN143-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN142ZS8ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN142ZST2R

Beschreibung: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN143-2-02-10M

Beschreibung: CMC 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142VTE-17

Beschreibung: DIODE PIN 60V UMD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN143-4-02

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN143-1-02-47M

Beschreibung: CMC 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN143-2-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142STE61

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142GT2R

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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