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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1426TE85LF

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RN1426TE85LF

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1426TE85LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1426TE85LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

S-Mini
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

RN1426(TE85L,F)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

11 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

300MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

90 @ 100mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

800mA
Basisteilenummer

RN142*

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Das Folgende sind "RN1426TE85LF" -Einziper.

RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN142-2-02-6M8

Beschreibung: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN142-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142-6-02

Beschreibung: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN143-0.5-02

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN143-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142ZS8ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN142STE61

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN142ZS12ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN142-4-02

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142ZST2R

Beschreibung: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN142-6-02-1M8

Beschreibung: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN142VTE-17

Beschreibung: DIODE PIN 60V UMD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN142GT2R

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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