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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > RN142ZST2R
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2991818RN142ZST2R-Bild.LAPIS Semiconductor

RN142ZST2R

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2500+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN142ZST2R
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE PIN 30V 50MA GMD2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RN142ZST2R.pdf
    2.RN142ZST2R.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    GMD2
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    0201 (0603 Metric)
  • Andere Namen
    RN142ZST2RCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    PIN - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode PIN - Single 30V 50mA GMD2
  • Strom - Max
    50mA
  • Kapazität @ Vr, F
    0.45pF @ 1V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RN142ZST2

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RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN143-1-02-47M

RN143-1-02-47M

Beschreibung: CMC 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN143-2-02-10M

RN143-2-02-10M

Beschreibung: CMC 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN143-2-02

RN143-2-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 10MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN143-6-02

RN143-6-02

Beschreibung: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN143-6-02-1M8

RN143-6-02-1M8

Beschreibung: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN143-1-02

RN143-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN143-4-02-3M9

RN143-4-02-3M9

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN143-4-02

RN143-4-02

Beschreibung: CMC 3.9MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Beschreibung: DIODE PIN 60V UMD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

Beschreibung: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Beschreibung: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
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