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3909764RQ5E025ATTCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ5E025ATTCL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ5E025ATTCL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ5E025ATTCL.pdf
    2.RQ5E025ATTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-96
  • Andere Namen
    RQ5E025ATTCLDKR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    220pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.7nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ5E025ATTCL" -Einziper.
RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5A030APTL

RQ5A030APTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5H020SPTL

RQ5H020SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL

Beschreibung: PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SC96

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 58A TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ5E070BNTCL

RQ5E070BNTCL

Beschreibung: NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP60N03KUG-E1-AY

NP60N03KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
STP8N80K5

STP8N80K5

Beschreibung: MOSFET N CH 800V 6A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RQ5E035BNTCL

RQ5E035BNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTH130N10T

IXTH130N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 130A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ5E030AJTCL

RQ5E030AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RJK4002DPP-M0#T2

RJK4002DPP-M0#T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3A TO220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SPI08N80C3

SPI08N80C3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRL630STRL

IRL630STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
TSM170N06PQ56 RLG

TSM170N06PQ56 RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STP12N120K5

STP12N120K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IXFH60N60X

IXFH60N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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