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1020052RQ5E035BNTCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ5E035BNTCL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ5E035BNTCL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ5E035BNTCL.pdf
    2.RQ5E035BNTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-96
  • Andere Namen
    RQ5E035BNTCLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ5E035BNTCL" -Einziper.
IRF7759L2TR1PBF

IRF7759L2TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RQ5E070BNTCL

RQ5E070BNTCL

Beschreibung: NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMIX1T600N04T2

MMIX1T600N04T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 600A SMPD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
RQ5E030AJTCL

RQ5E030AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
PMF170XP,115

PMF170XP,115

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AO3401AL_DELTA

AO3401AL_DELTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
EPC2001C

EPC2001C

Beschreibung: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
BUK9M43-100EX

BUK9M43-100EX

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RQ5E025ATTCL

RQ5E025ATTCL

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5A030APTL

RQ5A030APTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SC96

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSC052N03S G

BSC052N03S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL

Beschreibung: PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5H020SPTL

RQ5H020SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRL3102PBF

IRL3102PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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