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3709021RQ5E070BNTCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ5E070BNTCL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ5E070BNTCL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ5E070BNTCL.pdf
    2.RQ5E070BNTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.1 mOhm @ 7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-96
  • Andere Namen
    RQ5E070BNTCLTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A (Tc)

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Das Folgende sind "RQ5E070BNTCL" -Einziper.
IXFH60N60X

IXFH60N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ5E025ATTCL

RQ5E025ATTCL

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5A030APTL

RQ5A030APTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF6609TR1

IRF6609TR1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
94-3412PBF

94-3412PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF9540PBF

IRF9540PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL

Beschreibung: PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFR32N50

IXFR32N50

Beschreibung: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SC96

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ5H020SPTL

RQ5H020SPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDU068AN03L

FDU068AN03L

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RJK0603DPN-E0#T2

RJK0603DPN-E0#T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
RQ5E035BNTCL

RQ5E035BNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RQ5E030AJTCL

RQ5E030AJTCL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMP2005UFG-7

DMP2005UFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
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