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RS1E170GNTB-Bild.

LAPIS Semiconductor

RS1E170GNTB

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Spezifikation

Artikelnummer

RS1E170GNTB
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RS1E170GNTB.pdf
2.RS1E170GNTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Ta), 23.7W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

RS1E170GNTBTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 17A (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Ta)

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Das Folgende sind "RS1E170GNTB" -Einziper.

RS1E150GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E200GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1E240BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1DLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1E300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E200BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E350BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E130GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E280GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E320GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1E180BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1E280BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RS1DLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1DLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

vorrätig

RS1E240GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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