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3945708RS1E200BNTB-Bild.LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1E200BNTB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    RS1E200BNTBTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    59nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Ta)
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1G

RS1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RS1DTR

RS1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RS1G M2G

RS1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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