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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RSQ015N06TR

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2005181

RSQ015N06TR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RSQ015N06TR

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Spezifikation

Artikelnummer

RSQ015N06TR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RSQ015N06TR.pdf
2.RSQ015N06TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RSQ015N06DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RSQ015N06TR" -Einziper.

RSQ030P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIHP12N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUM25P10-138-E3

SUM25P10-138-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RSQ035N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ200

Beschreibung: RESISTOR KIT 1-10M 1/4W 33800PCS

Hersteller: Yageo

vorrätig

MCH3382-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SIHB20N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RSQ025P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ020N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RSQ045N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ015P10TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRLR7843TR

IRLR7843TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IPC100N04S5L1R5ATMA1

IPC100N04S5L1R5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

STD3NK60Z-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

ZVN2110GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RSQ035P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SPP80N06S2L-06

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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