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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RSQ045N03TR

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6912601

RSQ045N03TR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RSQ045N03TR

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Spezifikation

Artikelnummer

RSQ045N03TR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RSQ045N03TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RSQ045N03MGTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RSQ045N03TR" -Einziper.

STD2NK90ZT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RSQ035P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RSQ025P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IXTK128N15

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 128A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RTM002P02T2L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ200

Beschreibung: RESISTOR KIT 1-10M 1/4W 33800PCS

Hersteller: Yageo

vorrätig

IRF1404STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RSQ015N06TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AOL1428

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 49A 8ULTRASO

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

IPP12CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 67A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RSQ035N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

PSMN5R0-100PS,127

PSMN5R0-100PS,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RSQ020N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DMG2302UK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RSQ015P10TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

HUF75345P3

HUF75345P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IXTV30N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

AOD516_051

AOD516_051

Beschreibung: MOSFET N-CH TO-252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RSQ030P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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