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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RSQ015P10TR

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RSQ015P10TR-Bild.

LAPIS Semiconductor

RSQ015P10TR

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Spezifikation

Artikelnummer

RSQ015P10TR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RSQ015P10TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

470 mOhm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RSQ015P10MGTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RSQ015P10TR" -Einziper.

SPU04N60S5BKMA1

SPU04N60S5BKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RSQ035N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

TPN4R712MD,L1Q

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

IRLR3410TRR

IRLR3410TRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF9Z10PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RSQ030P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

STW47NM60ND

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

ZVN0545ASTOB

ZVN0545ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RSQ035P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RSQ015N06TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

NTD60N02RT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRFB7446PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

STD3NM60-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

TK560A65Y,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RSQ045N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ200

Beschreibung: RESISTOR KIT 1-10M 1/4W 33800PCS

Hersteller: Yageo

vorrätig

RSQ020N03TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RSQ025P03TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EPC2021ENG

Beschreibung: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

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