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5743235RTU002P02T106-Bild.LAPIS Semiconductor

RTU002P02T106

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RTU002P02T106
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RTU002P02T106.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    200mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RTU002P02T106TR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    250mA (Ta)

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NVMFS6B75NLT3G

NVMFS6B75NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AON6407

AON6407

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NVATS5A107PLZT4G

NVATS5A107PLZT4G

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTA42N25P

IXTA42N25P

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
STL7N80K5

STL7N80K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TK11A45D(STA4,Q,M)

TK11A45D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IPP65R225C7XKSA1

IPP65R225C7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFR2405TRLPBF

IRFR2405TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXFV96N20P

IXFV96N20P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STD20NF06LAG

STD20NF06LAG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SPB21N10 G

SPB21N10 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STFI26N60M2

STFI26N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRF3704SPBF

IRF3704SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS5C673NLWFAFT1G

NVMFS5C673NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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