Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SP8M7FU6TB
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3204275

SP8M7FU6TB

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SP8M7FU6TB
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SP8M7FU6TB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    51 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A, 7A
  • Basisteilenummer
    *M7

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "SP8M7FU6TB" -Einziper.
SP8M5TB

SP8M5TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M8TB

SP8M8TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M3TB

SP8M3TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M7TB

SP8M7TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M8FU6TB

SP8M8FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M9TB

SP8M9TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M70TB1

SP8M70TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6FRATB

SP8M6FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6TB

SP8M6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.