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UMF5NTR

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    UMF5NTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V, 12V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz, 260MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA, 500mA
  • Basisteilenummer
    *MF5
UMFT120DC

UMFT120DC

Beschreibung: BOARD EVAL FOR FT120

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMF4NTR

UMF4NTR

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMFT12XEV

UMFT12XEV

Beschreibung: MAINBOARD FOR F12X

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMF28NTR

UMF28NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMFT121DC

UMFT121DC

Beschreibung: BOARD EVAL FOR FT121

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMF1V6R8MDD

UMF1V6R8MDD

Beschreibung: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
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UMF1V4R7MDD1TP

UMF1V4R7MDD1TP

Beschreibung: CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
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UMF24NTR

UMF24NTR

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMFT200XD-01

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Beschreibung: BOARD BREAKOUT USB I2C FT200X

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMFT200XD-NC

UMFT200XD-NC

Beschreibung: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMF21NTR

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Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMF8NTR

UMF8NTR

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMF1V6R8MDD1TP

UMF1V6R8MDD1TP

Beschreibung: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
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UMF6NTR

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Beschreibung: TRANS PNP/N-CH 12V 500MA SOT-363

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMF1V6R8MDD1TE

UMF1V6R8MDD1TE

Beschreibung: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: Nichicon
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UMF23NTR

UMF23NTR

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMF9NTR

UMF9NTR

Beschreibung: TRANS NPN/N-CH 12V 500MA SOT-363

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMF32NTR

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Beschreibung: TRANS PNP DUAL 50V UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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UMFT200XD-WE

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Beschreibung: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Hersteller: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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UMFT122DC

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Beschreibung: BOARD EVAL FOR FT122

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