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5235799UMG2NTR-Bild.LAPIS Semiconductor

UMG2NTR

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  • Artikelnummer
    UMG2NTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.UMG2NTR.pdf
    2.UMG2NTR.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MG2

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UMG9NTR

UMG9NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN4983,LF(CT

RN4983,LF(CT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMA964060R

DMA964060R

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.125W SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMG11NTR

UMG11NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG8NTR

UMG8NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BCR135SH6827XTSA1

BCR135SH6827XTSA1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
UMG1NTR

UMG1NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG4NTR

UMG4NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMG2DXV5T1G

EMG2DXV5T1G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG5NTR

UMG5NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
XN0121400L

XN0121400L

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMG4N-7

UMG4N-7

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RN2964(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DMA564070R

DMA564070R

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMG6NTR

UMG6NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG7NTR

UMG7NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA143EDXV6T1G

NSBA143EDXV6T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN2902FE,LF(CT

RN2902FE,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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UMG3NTR

UMG3NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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