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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > UMG4N-7
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4576479UMG4N-7-Bild.Diodes Incorporated

UMG4N-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMG4N-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UMG4N-7.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-353
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "UMG4N-7" -Einziper.
DMA564060R

DMA564060R

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
XP0421400L

XP0421400L

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMG3NTR

UMG3NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG5NTR

UMG5NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG7NTR

UMG7NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG6NTR

UMG6NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
EMC2DXV5T1G

EMC2DXV5T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMA566040R

DMA566040R

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMG11NTR

UMG11NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IMD9AT108

IMD9AT108

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
PEMB2,115

PEMB2,115

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
UMG1NTR

UMG1NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG8NTR

UMG8NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBC124EPDXV6T5G

NSBC124EPDXV6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBC114EDXV6T5G

NSBC114EDXV6T5G

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG9NTR

UMG9NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG4NTR

UMG4NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMG2NTR

UMG2NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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