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1951333UMG11NTR-Bild.LAPIS Semiconductor

UMG11NTR

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  • Artikelnummer
    UMG11NTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Andere Namen
    UMG11NDKR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MG11
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
UMA2NTR

UMA2NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN4983,LF(CT

RN4983,LF(CT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BCR10PNB6327XT

BCR10PNB6327XT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
UMG9NTR

UMG9NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
NSBC123EDXV6T1

NSBC123EDXV6T1

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
UMG4NTR

UMG4NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SMUN5113DW1T1G

SMUN5113DW1T1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PUMH18,115

PUMH18,115

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
DCX114YU-7-F

DCX114YU-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
UMG1NTR

UMG1NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMG7NTR

UMG7NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SMUN5335DW1T1G

SMUN5335DW1T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
UMG5NTR

UMG5NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMG3NTR

UMG3NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMG4N-7

UMG4N-7

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
UMG8NTR

UMG8NTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMG6NTR

UMG6NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UMG2NTR

UMG2NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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