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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAV103-TP
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2584299BAV103-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

BAV103-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAV103-TP
  • Hersteller / Marke
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 200V 200MA MINI MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAV103-TP.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Mini MELF
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 200mA Surface Mount Mini MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "BAV103-TP" -Einziper.
BAV116T-7

BAV116T-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 100MA SOD523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV16S92-7

BAV16S92-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD923

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV103

BAV103

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV103 L1G

BAV103 L1G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV116WS-7

BAV116WS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV103 L0G

BAV103 L0G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV116S92-7

BAV116S92-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD923

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV116W-7

BAV116W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 130V 215MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV116HWFQ-7

BAV116HWFQ-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV102-TP

BAV102-TP

Beschreibung: DIODE GP 150V 200MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAV103,135

BAV103,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV116HWF-7

BAV116HWF-7

Beschreibung: DIODE SW 130V 215MA SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV16W-13-F

BAV16W-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV116WSQ-7

BAV116WSQ-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV103-GS08

BAV103-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV103-IR08

BAV103-IR08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV103-GS18

BAV103-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV102_D87Z

BAV102_D87Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV103,115

BAV103,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV116W-7-F

BAV116W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 130V 215MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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