MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND
Supplier Device-Gehäuse

132-VBGA (12x18)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

132-VBGA
Andere Namen

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR-ND
MT29E128G08CECDBJ4-6:DTR
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

128Gb (16G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel 132-VBGA (12x18)

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Das Folgende sind "MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR" -Einziper.

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

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