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MT29E1HT08ELHBBG1-3:B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1.5Tb (192G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1.5Tb (192G x 8) Parallel
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR

MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT

MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARALLEL 208MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT

MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT

MT29C8G96MAZBADKD-5 WT

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E128G08CECDBJ4-6:D

MT29E128G08CECDBJ4-6:D

Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

Beschreibung: IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR

MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR

Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29E1T08CUCCBH8-6:C

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR

MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARALLEL 208MHZ

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MT29E128G08CECABJ1-10Z:A

MT29E128G08CECABJ1-10Z:A

Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR

MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

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