Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H256M8EB-25E AIT:C
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
7045039

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1320+
$23.412
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H256M8EB-25E AIT:C
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H256M8EB-25E AIT:C.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H256M8EB-25E AIT:C-ND
    MT47H256M8EB-25EAIT:C
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H256M8
  • Zugriffszeit
    400ps

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MT47H256M8EB-25E AIT:C" -Einziper.
MT47H256M8EB-187E:C TR

MT47H256M8EB-187E:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-187E:C

MT47H256M8EB-187E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.