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6222138MT47H256M8EB-25E:C-Bild.Micron Technology

MT47H256M8EB-25E:C

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  • Artikelnummer
    MT47H256M8EB-25E:C
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H256M8EB-25E:C.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    557-1588
    MT47H256M8EB-25E:C-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H256M8
  • Zugriffszeit
    400ps

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MT47H256M8EB-187E:C TR

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MT47H256M8THN-25E:M

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MT47H256M8EB-25E AIT:C

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MT47H256M4SH-25E:M

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MT47H256M8THN-3:H

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