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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H256M8THN-25E IT:H

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473591

MT47H256M8THN-25E IT:H

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Spezifikation

Artikelnummer

MT47H256M8THN-25E IT:H
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MT47H256M8THN-25E IT:H.pdf
2.MT47H256M8THN-25E IT:H.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

63-FBGA (8x10)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

63-TFBGA
Andere Namen

MT47H256M8THN-25E IT:H-ND
MT47H256M8THN-25EIT:H
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
Uhrfrequenz

400MHz
Basisteilenummer

MT47H256M8
Zugriffszeit

400ps

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Das Folgende sind "MT47H256M8THN-25E IT:H" -Einziper.

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8THN-3:H

MT47H256M8THN-3:H

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8THN-25E:H TR

MT47H256M8THN-25E:H TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8THN-3:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H256M8THN-25E:H

MT47H256M8THN-25E:H

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16BN-25:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H256M8EB-25E AIT:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H256M8THN-25E:M TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H256M8THN-3 IT:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H256M8EB-25E:C TR

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