Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5415US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1082877

1N5415US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$9.014
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5415US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5415US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    E-MELF
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N5415US" -Einziper.
1N5408TA

1N5408TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5408GP-E3/54

1N5408GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5416

1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5415

1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5408GHR0G

1N5408GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5408GP-TP

1N5408GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5417US

1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418

1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5408GTA

1N5408GTA

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5408RL

1N5408RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5417TR

1N5417TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5417

1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5416US

1N5416US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5408GHA0G

1N5408GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5408RLG

1N5408RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5408GHB0G

1N5408GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.