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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5417C.TR
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64526411N5417C.TR-Bild.Semtech

1N5417C.TR

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$5.408
100+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5417C.TR
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N5417C.TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    1N5417C.CT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    Not Applicable
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 4.5A Through Hole Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    4.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    250pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5417C.TR" -Einziper.
1N5419

1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5417US

1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419E3

1N5419E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5408RL

1N5408RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5416US

1N5416US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5408RLG

1N5408RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5418

1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5415US

1N5415US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419

1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5418TR

1N5418TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5416

1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5418US

1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417

1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5408TA

1N5408TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5415

1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5408GTA

1N5408GTA

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5417TR

1N5417TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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