1N5416US

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Spezifikation

Artikelnummer

1N5416US
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1N5416US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

D-5B
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

150ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

E-MELF
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 100V 3A Surface Mount D-5B
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 100V
Strom - Richt (Io)

3A
Kapazität @ Vr, F

-

Das Folgende sind "1N5416US" -Einziper.

1N5417TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N5408TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

vorrätig

RFQ

1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5418C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech

vorrätig

RFQ

1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5417C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech

vorrätig

RFQ

1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

RFQ

1N5418TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N5408RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

1N5408GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

1N5408GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N5408GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

RFQ

1N5417-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N5408RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

1N5418-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N5415US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N5408GTA

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER 1000V DO-201A

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

vorrätig

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1N5418TR

1N5408RL

1N5408GHR0G

1N5408GP-E3/54

1N5408GP-TP

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1N5408RLG

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