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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5419
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61876371N5419-Bild.Microsemi Corporation

1N5419

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5419
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5419.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    B, SQ-MELF
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, B
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    250ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N5419
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Diodenkonfiguration
    1µA @ 500V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.5V @ 9A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    500V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "1N5419" -Einziper.
1N5420

1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5518B (DO35)

1N5518B (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5519B (DO35)

1N5519B (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419

1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5420US

1N5420US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417US

1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418US

1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419US

1N5419US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417

1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5519BUR-1

1N5519BUR-1

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5420

1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419E3

1N5419E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5418

1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418TR

1N5418TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5417TR

1N5417TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5518BUR-1

1N5518BUR-1

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
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