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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5418TR
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64615361N5418TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5418TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5418TR
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5418TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-64
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    100ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-64, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 400V 3A Through Hole SOD-64
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N5418

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Das Folgende sind "1N5418TR" -Einziper.
1N5416

1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419

1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5420US

1N5420US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417US

1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5420

1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5518BUR-1

1N5518BUR-1

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418

1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418C.TR

1N5418C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5419

1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5417

1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5518B (DO35)

1N5518B (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5419E3

1N5419E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5417TR

1N5417TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5416US

1N5416US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5419US

1N5419US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5420

1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5418US

1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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