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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5554
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17522921N5554-Bild.Microsemi

1N5554

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$10.395
100+
$8.547
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5554
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5554.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 3A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N5554" -Einziper.
1N5553

1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5610

1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5613

1N5613

Beschreibung: TVS DIODE C-BODY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5558

1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5553C.TR

1N5553C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5553

1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5552

1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5611

1N5611

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5554

1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5556

1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5552C.TR

1N5552C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5557

1N5557

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5552

1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5552US

1N5552US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5555

1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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