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1N5554US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5554US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF
  • Andere Namen
    1N5554USS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 5A Surface Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    92pF @ 5V, 1MHz
1N5610

1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5554

1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5555

1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5552C.TR

1N5552C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5611

1N5611

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553C.TR

1N5553C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5558

1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5613

1N5613

Beschreibung: TVS DIODE C-BODY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5557

1N5557

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5556

1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5553

1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5552US

1N5552US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553

1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614

1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5554

1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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