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1N5558

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5558
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 175V 265V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    175V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    265V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    191V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    5.7A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose
1N5614US

1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5557

1N5557

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614

1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5555

1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5610

1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5613

1N5613

Beschreibung: TVS DIODE C-BODY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5611

1N5611

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GP-E3/73

1N5614GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5554

1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GPHE3/54

1N5614GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5554

1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5556

1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5615GP-E3/54

1N5615GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5615

1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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